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NeuroNexus 3D電極
- 產(chǎn)品型號(hào)：Matrix Array
- 更新時(shí)間：2024-07-26
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產(chǎn)品介紹
NeuroNexus 3D電極_Matrix Array
3D記錄不同空間位置的神經(jīng)細(xì)胞。
多功能配置、性能可靠。
NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 是采用成熟的硅技術(shù)設(shè)計(jì)的新的三維電極，用于像靈長(zhǎng)類(lèi)這樣的大型動(dòng)物的急性和慢性實(shí)驗(yàn)。
Matrix Array™同時(shí)跨越皮質(zhì)層和皮質(zhì)柱，覆蓋大片區(qū)域，記錄大量的神經(jīng)信息。
Matrix Array可以直接使用我們標(biāo)準(zhǔn)的2D硅電極組裝，每一片硅電極的間距和陣列形式都可以定制，可以靈活自如地設(shè)計(jì)出跨越任何解剖結(jié)構(gòu)的3D電極。Matrix Array通過(guò)一個(gè)超柔的線纜連接到電極連接器上。
每個(gè)電極都提供了配套的工具（包括測(cè)量工具，模擬裝配，螺絲等），協(xié)助您提高電極記錄的成功率。
從左上角開(kāi)始順時(shí)針順序：?jiǎn)魏薓atrix Array™，雙核Matrix Array™，多核Matrix Array™電極與表面電極，單核Matrix Array™與表面電極
NeuroNexus 3D電極_Matrix Array有高度靈活的配置。各種配置都可以擴(kuò)展傳統(tǒng)的記錄區(qū)域，能夠與從腦表面到皮質(zhì)下結(jié)構(gòu)的任何部分相互連接。單個(gè)電極組件，或?yàn)槎鄠€(gè)植入位置選擇雙核組件。使表面電極和植入電極的組合記錄腦表面和腦皮層。可將短和長(zhǎng)電極混合在一個(gè)陣列中，以記錄并刺激高達(dá)10毫米深的腦組織結(jié)構(gòu)。
上圖：配置有不同電極長(zhǎng)度的單個(gè)Matrix Array™，對(duì)大腦中不同區(qū)域進(jìn)行定位。
規(guī)格：
| 通道數(shù) | 64, 128, 256 |
| X 軸跨度 | Up to 1.8 mm |
| Y 軸跨度 | 0.6 mm - 3 mm |
| Z 軸跨度 | Up to 15 mm |
| 電極間距(見(jiàn)Y軸跨度) | 200 μm, 300 μm, 600 μm,800 μm, 1000 μm (訂購(gòu)時(shí)注明) |
| 線纜長(zhǎng)度 | 30 mm(定制) |
| 電極位點(diǎn)的金屬材質(zhì) | 銥 |
| 電極厚度 | 50 μm |
| 提供的Packages | 大型動(dòng)物慢性, 小型動(dòng)物慢性, Smart, MRI, Acute |